近日，我院陈洪教授科研团队在AIP旗下Applied Physics Reviews期刊发表了题为“Recent advances in Dirac spin-gapless semiconductors”的综述论文，系统阐述了Dirac型自旋无能隙半导体的物理机制、研究现状和发展方向。Applied Physics Reviews为AIP旗下顶级物理类综述期刊，最新影响因子为12.89。我院为该论文第一完成单位，王啸天副教授及本科生李汀洲为共同第一作者，通讯作者为陈洪教授和澳大利亚伍伦贡大学Z.X. Cheng教授，另外自旋无能隙半导体材料的提出者X.L. Wang教授也被邀请为合作者为我们的论文质量把关。该论文被审稿人和主编高度评价，评选为特色论文（蓝色Featured [F] 标识），并在APR网站首页上置顶。

对于未来自旋电子学和电子器件的终极目标是实现超快传输和超低能耗，这也就意味着，理想的状态下，需要消除电子或空穴的有效质量，并使得电荷完全自旋极化。而对于Dirac型自旋无能隙半导体材料而言，由于其狄拉克色散的特性，被看做是自旋电子器件中使用较好的一类自旋电子材料。它们还具有类似石墨烯的线性能量色散；由于这种独特的色散，使其电子的（有效）质量可以被消除。也正是因为这个原因，Dirac型自旋无能隙半导体自2008年X.L. Wang教授提出后，其研究未曾中断，反而在近两年来越来越受到各国科研人员的关注。

因此，一个关于Dirac自旋无能隙半导体材料的全面、完整、高质量的综述是必不可少的。本综述性论文的亮点较为突出，主要表现在以下几个方面：

1. 以p型和d型Dirac自旋无能隙半导体为出发点，全面系统的总结了Dirac自旋无能隙半导体的研究现状、评述了目前存在的问题及展望了未来的发展方向；

2. 指出了Dirac半金属材料和Dirac自旋无能隙半导体材料的差异，解决了二者间容易混淆的问题；

3. 总结了Dirac材料理论设计时需要注意的几个问题，并为实验工作指明清晰方向；

4. 展望了在3D bulk材料中开发新型Dirac自旋无能隙半导体材料的前景，并在综述论文中给出了课题组的最新研究结果。

   为了能呈现最完整、全面、且有深度的综述，陈洪老师、王啸天老师带领李汀州同学一起针对论文内容进行了10次以上的讨论，反复调整论文框架，填充和雕琢论文内容。同时与澳大利亚Z.X. Cheng教授和X.L. Wang教授进行多次邮件、Skype讨论，以确保论文达到美国物理学会高水平的指标。

   王啸天老师主要从事新型自旋电子学材料和磁性智能材料的第一性计算原理设计工作。2017年7月到我院工作以来，已在Journal of Materials Chemistry C (IF: 5.976); IUCrJ (IF: 6.544), Acta Crystallographica Section B: Structural Science, Crystal Engineering and Materials (IF: 6.467), Scientific Reports (IF: 4.122) 等专业学术期刊发表学术论文数10篇。

   本文的共同第一作者李汀洲同学是我院物理学专业大二本科学生，2017年9月进入大学以来已发表SCI收录论文5篇，其中2区以上研究论文3篇、3区2篇。

    

   论文链接：

   https://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.5042604